Trainer per lo studio di Transistor e loro polarizzazioni

Trainer per lo studio di Transistor e loro polarizzazioni


cod. prodotto MEPA: SIAD-EV-ELBA07
IVA esclusa
La scheda MCM4/EV esamina i parametri e le tecniche di polarizzazione dei dispositivi a semiconduttore.

È parte del Sistema di Elettronica Pratica Interattiva IPES e funziona sia in modalità standard, utilizzando interruttori a bordo e il manuale cartaceo, che computerizzata. In quest’ultimo caso, attraverso un’unità di controllo opzionale, viene utilizzata la versione software del manuale che può inserire automaticamente variazioni circuitali e guasti permettendo lo svolgimento delle lezioni anche senza assistenza del docente. Include componenti elettronici premontati suddivisi in blocchi circuitali da interconnettere e modificare con ponticelli e cavetti.

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Programma di formazione

  • Transistor NPN e PNP: funzionamento ed equazioni fondamentali
  • Guadagno statico del transistor
  • Curve caratteristiche: relazione tra le correnti di collettore e di emettitore
  • Transistor ad effetto di campo JFET: curve caratteristiche, caratteristica mutua e transconduttanza
  • Il MOSFET: MOSFET Depletion, MOSFET Enhancement, comparazione tra MOSFET e JFET
  • Circuito amplificatore con JFET, generatore di corrente costante e circuito amplificatore per piccoli segnali
  • Componenti optoelettronici: fotoresistore, fotodiodo, fototransistors, caratteristica resistenza-luminosità e corrente-luminosità
  • Trasduttori di temperatura: caratteristica resistenza-temperatura
  • Connessione dei transistor: amplificatore e circuito ad emettitore comune, a collettore comune, a base comune
  • Polarizzazione del transistor: circuito e caratteristica di uscita, determinazione dei componenti di polarizzazione con il metodo analitico e il metodo grafico
  • Zone di funzionamento del transistor
  • Circuito di polarizzazione con una sola alimentazione
  • Classi di funzionamento: classe A, B, C
  • Stabilizzazione del punto di riposo: effetti termici, circuito di stabilizzazione con resistenza di emettitore e con resistenza collettore-base
  • Parametri di stabilità, influenza di VBE, influenza del guadagno ß, effetto della stabilizzazione sulle componenti di segnale
  • Specifiche tecniche
    • unti di test e di interconnessione Ø 2 mm
    • Modifiche rapide ai circuiti tramite jumpers
    • Simulazione guasti
    • Connettore a 37-pin per il collegamento all’unità di controllo
    • Connettore ad 8 vie per la connessione all’unità di alimentazione
    • Circuito stampato con trattamento protettivo e sinottico serigrafato
    • Alimentazione: ±12 Vcc – 0.5A, 1,3÷24Vcc – 0÷2A var., 2x24Vca – 0,5A
    • Peso 1 kg
    • Dimensioni 386 x 248 x 60 mm
  • Incluso
  • MANUALE STUDENTE (Teoria e esercizi)
  • MANUALE DOCENTE (Schemi elettrici e soluzioni esercizi)